Samsung започна производство на 4GB. чипове памет DDR3

В официално съобщение за пресата компанията Samsung заяви, че е разработила първата в света DDR3 памет с капацитет 4GB. Захранващото напрежение на новите памети е 1.35 V., което е с 20% по-малко от напрежението 1.5 V., което се използва във всички DDR3 чип памети. Това е позволило общото енергопотребление да бъде намалено с 40%. При изработката е използвана 50 nm. технология, а в бъдеще компанията предвижда да създаде чипове оперативна памет с капацитет до 32 GB. за един модул.

Според прогнозни данни на International Data Corporation (IDC), продажбите на DDR3 памети в световен мащаб през 2009 ще достигнат 29%, а през 2011 година 75% от продажбите на всички видове памет.