Toshiba подготвя 43 nm SLC NAND чипове


Toshiba разкри нова серия SLC (single-level cell) NAND флаш чипове, изработени по 43 nm производствен процес. Предлагащи се в модели с капацитет от 512 MB до 64 GB, новите 43 nm чипове имат размери 14 x 18 mm, нуждаят се от 3.3 V и предлагат скорости на запис, които са 2.5 пъти по-високи в сравнение с MLC (multi-level cell) NAND флаш чиповете на компанията.

Очаква се новите 43 nm чипове да бъдат използвани в мобилните телефони, оборудването за офиса, сървърите и други устройства. Новите флаш чипове на Toshiba ще се появят в търговската мрежа през първото тримесечие на следващата година.

Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 212
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на30 Окт 2008
ИзточникKaldata

Тагове
level, cell, nand, toshiba