Пресслужбата на Samsung Electronics отново съобщи за нови постижения в областта на електрониката. Този път южнокорейския производител съобщи с гордост за създаването на най-малкия в отрасъла 2 gigabit DDR3 чип. Изделието е проектирано с използване на 50 nm. технологичен процес, изпреварва по производителност с 60% чиповете DDR2 с аналогична плътност и позволява да се реализира до 40% икономия на електроенергия в сравнение с типичната DDR3 памет.
При използване на 2 gigabit чипове Samsung, производителите ще могат да проектират RIMM модули памет с капацитет до 16 GB. с използване на dual-die packages. Стандартно разработчиците могат да създават модули RIMM с капацитет до 8 GB., а също и модули SODIMM и UDIMM с капацитет до 4 GB. Скоростта на предаване на данни на новите памети достига до 1.3 gigabits per second.
Samsung се надява, че през следващата година повечето DRAM чипове ще се произвеждат по 50 nm. технологичен процес. Масовото производство на тези чипове ще започне в края на тази година.
